型号:NOSB336M004R0600 | 类别:氧化铌 | 制造商:AVX Corporation |
封装:1210(3528 公制) | 描述:CAP NIOB OXIDE 33UF 4V 1210 |
详细参数
类别 | 氧化铌 |
---|---|
描述 | CAP NIOB OXIDE 33UF 4V 1210 |
系列 | OxiCap® NOS |
制造商 | AVX Corporation |
电容 | 33µF |
电压_额定 | 4V |
容差 | ±20% |
ESR111等效串联电阻222 | 600 毫欧 |
电流_泄漏电流 | 2.6µA |
耗散因数 | 6% |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 1210(3528 公制) |
制造商尺寸代码 | B |
高度_座高111最大222 | 0.083"(2.10mm) |
特点 | 低 ESR |
工作温度 | -55°C ~ 125°C |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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1206(3216 公制)
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氧化铌
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2312(6032 公制)
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通孔电阻器
Vishay BC Components
轴向
RES 121K OHM METAL FILM .50W 1%
- NOSC227M002R0080
氧化铌
AVX Corporation
2312(6032 公制)
CAP NIOB OXIDE 220UF 2.5V 2312
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC OPAMP VFB 150MHZ DUAL 8SOIC
- IDT7164L25YGI8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
28-BSOJ
IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ
- IDTSTAC9271D5TAEA2X
接口 - 编解码器
IDT, Integrated Device Technology Inc
48-LQFP
IC AUDIO CODEC 10CH HD 5V 48TQFP
- ICS548AMI-03LFT
时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器
IDT, Integrated Device Technology Inc
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IC CLK INVERTER/DIVIDER 16-SOIC